Готов первый модуль памяти DDR4

Компания Samsung неожиданно представила прототип, но для массового производства еще многое предстоит сделать.

Компания Samsung сделала еще один значительный шаг в мире памяти, представив первый в мире модуль памяти DDR4. Вставки на прототипе были изготовлены методом 30 нм. По сравнению с линейкой DDR3 они потребляют на 40% меньше энергии, в основном из-за значительно более низкого рабочего напряжения, которое составляет всего 1,2 В по сравнению с 3 для DDR1,5. Текущие чипы DDR4 могут диктовать скорость 2.133 Мбит / с, но компания заявляет, что новый стандарт сделает доступными 3.200 Мбит / с. Чипы DDR3 способны развивать скорость 1.600 Мбит / с.

Как и ожидалось, JEDEC может завершить линейку DDR4 в конце этого года, так что первые массовые продукты могут появиться в 2012 году.