Samsung: начинается массовое производство модулей памяти на 32 ГБ

Для создания новых модулей RDIMM производитель использует чипы, изготовленные на основе 30 нм.

Компания Samsung также официально объявила, что первой в мире начнет массовое производство модулей памяти DDR32 объемом 3 ГБ. Для этого они используют чипы, изготовленные по 30-нм техпроцессу и имеющие емкость 4 Гбит, но, что более важно, им требуется только напряжение 1.866 В для достижения эффективного тактового сигнала 1,35 МГц. Для сравнения, чипы, изготовленные на 40 нм, требовали 1,5 В при 1.333 МГц. Это означает, что новые чипы потребляют на 18% меньше энергии при значительном ускорении. Новые модули относятся к типу RDIMM, т. Е. Предназначены в первую очередь для серверов. Однако производитель не останавливается на достигнутом, так как уже планирует выпуск 20-нм чипов DDR3, которые приурочены ко второй половине года.