Модули памяти 32 ГБ от Samsung

Для достижения огромной емкости производитель использовал чипы на 4 Гбит.

Компания Samsung представила новые модули памяти объемом 32 ГБ каждый. Это было достигнуто с помощью 72 чипов по 4 Гбит. Новые модули вставляются в разъем LRDIMM, который будет поддерживаться новыми серверными процессорами AMD и Intel. Модули 40 МГц, изготовленные по технологии 1333 нм, работают при напряжении 1,35 В. Помимо 72 микросхем, каждый модуль был заменен так называемым буфером. буфер памяти), что помимо контроля доступа позволяет снизить нагрузку на подсистему памяти на 75%.

Серийное производство новых модулей запланировано на второй квартал 2010 года. Ожидаемые цены неизвестны.