Intel использует микросхемы флэш-памяти NAND 34 нм на своем новом твердотельном накопителе

Цена на твердотельные накопители могла быть значительно снижена Intel из-за использования новых микросхем.

Корпорация Intel оснащает свои новые твердотельные накопители более совершенными микросхемами флэш-памяти NAND, размер которых составляет 34 нанометра с точки зрения технологии производства по сравнению с их 50-нанометровыми аналогами.

2,5-дюймовые твердотельные накопители X25-M нового поколения выпускаются в версиях на 80 и 160 ГБ с разъемом SATA 3.0 Гбит / с, срок службы на отказ Intel составляет 1,2 миллиона часов работы, а скорость - 250 МБ / с. иллюстрируют скорость чтения и записи 70 МБ / с. Хотя в этом отношении не было достигнуто никакого прогресса, производительность дисков IOPS (количество операций ввода-вывода в секунду) улучшилась, а время задержки уменьшилось: при записи блоков размером 4 КБ новые диски имеют 6600 (80 ГБ) и 8600 (160 ГБ) IOPS способны считывать и записывать время задержки 65 и 85 мс. Напротив, предшественники знали 3300 операций ввода-вывода в секунду и имели скорость задержки 85 и 115 мс соответственно.

К счастью, более современная технология производства отражается и на цене: 80-Гбайт X25-M стоит 225 долларов, а версия, предлагающая вдвое большую емкость хранилища, стоит 440 долларов, что означает снижение цены почти на 33%, поскольку за «идентичный» «модели предыдущего поколения 335 и 660 долларов спросил Intel.

Кстати, Intel обновит свои 1,8-дюймовые твердотельные накопители в конце третьего квартала, а версия на 320 ГБ будет доступна в этом году.