80 нм память от Samsung
Компания Samsung представила чип DRAM емкостью 80 Гбайт, изготовленный по 1-нанометровой технологии.
Технология производства с полосой пропускания 80 нм позволяет снизить стоимость производства микросхем памяти. В результате цена пока еще очень редких 2- и 4-гигабайтных модулей DDR2 может еще больше снизиться. Чипы размером 90 нм и 1 Гбит имеют размеры 11 × 18 мм, а новая память Samsung - всего 11 × 11,5 мм.
The South Early Company планирует увеличить долю рынка DRAM до 2008 миллиарда долларов к 37,8 году, в то время как рыночная доля 1-гигабитных чипов изменится с нынешних 8 процентов до 36% через два года.
