Выбрать страницу

Toshiba продвигается к 19 нм в индустрии флэш-памяти NAND

 

Toshiba продвигается к 19 нм в индустрии флэш-памяти NANDПроизводитель хочет владеть самой маленькой и современной плиткой в ​​мире.

 

 

Неделю назад мы сообщили об этом Intel и чипы NAND Flash, производимые с длиной волны 20 нм на совместном предприятии с Micron под названием IM Flash Technologies. Теперь Toshiba с гордостью объявила, что они хотят пойти еще дальше и использовать 20-нм техпроцесс вместо 19-нм. В результате площадь такого чипа типа MLC (Multi Level Cell) равна протяженности конкурирующего решения, то есть 118 мм.2 и емкость будет 64 Гбит (8 ГБ) таким же образом. Компания начнет поставки первых образцов в конце этого месяца, а массовое производство начнется в третьем квартале. Этот временной интервал аналогичен тем, о которых сообщает IMFT, поскольку они говорили о второй половине 2011 года. Toshiba также представит технологию под названием «Toggle DDR2.0», которая положительно скажется на скорости. Компания SanDisk, партнер указанного производителя, хотела бы присоединиться к группе производителей, предлагающих чипы NAND Flash 19 нм позже в этом году. Новая разработка в первую очередь пойдет на пользу планшетам, твердотельным накопителям и смартфонам. Официальный анонс можно найти на странице источника.

Toshiba продвигается к 19 нм в индустрии флэш-памяти NAND

Об авторе

с3нки

Владелец сайта HOC.hu. Он автор сотен статей и тысяч новостей. Помимо различных онлайн-интерфейсов, он писал для Chip Magazine, а также для PC Guru. Некоторое время он управлял собственным магазином ПК, много лет проработав менеджером магазина, менеджером по обслуживанию, системным администратором в дополнение к журналистике.