Toshiba месит до 24 нм

Они хотят производить флеш-чипы большей емкости с меньшей пропускной способностью.

После того, как Intel и Micron объявили о своем собственном решении SSD с производственной технологией 25 нм, Toshiba также вступает в борьбу и хочет конкурировать с Samsung в дополнение к двум компаниям, поэтому они планируют выпустить 90 чипов NAND-Flash к концу года. .% должны быть сделаны на 32 или 24 нм. Конечно, прилагаются большие усилия, чтобы сделать переход на 24 нм как можно быстрее, так как это позволит получить больше микросхем на пластину, что также позволит снизить затраты.

В настоящее время основное внимание уделяется микросхемам MLC на 64 Гбит / с, но микросхемы TLC (трехуровневые ячейки) 32 Гбит также будут играть важную роль.