Память DDR3 уже на 30 нм

Samsung также планирует дальнейшие массовые обновления до конца года.

Компания Samsung начала массовое производство микросхем памяти 2 Гбит на 30 нм. В результате значительно снизилось потребление и рабочее напряжение. Это означает, что доступны тактовые частоты до 1,35 МГц при 1.866 В и 1,5 МГц при 2.133 В. По сравнению с предыдущими чипами, изготовленными на 50 нм, на сервере можно достичь экономии энергии до 20%. Однако производитель не останавливается на достигнутом и к концу этого года хочет представить чипы на 4 Гбит, которые теперь могут производить модули 8 ГБ для настольных компьютеров и ноутбуков, в то время как для серверов емкость модуля может достигать 32 ГБ.

Модули с текущими чипами 2 Гбит будут доступны с емкостью 2, 4 и 8 Гбайт, но информации об ожидаемых ценах пока нет.