Обнаружилась информация о памяти DDR4
JEDEC обещает завершить разработку стандарта к 2011 году, а массовое производство - только к 2015 году.
Можно ожидать, что модули памяти DDR4 следующего поколения значительно увеличат скорость в сегментах настольных, мобильных, серверных и рабочих станций. Однако высокая производительность требует довольно радикальных изменений подсистемы памяти. Благодаря новому двухточечному соединению процессор может обмениваться данными с каждым модулем памяти отдельно. На недавней конференции MemCon в Токио Билл Джерваси, член правления JEDEC, показал, что для памяти DDR4 значения тактовой частоты могут находиться в диапазоне от 2133 МГц до 4266 МГц. JEDEC и производители памяти, похоже, согласились, что нижний предел скорости передачи данных будет 2133 Мбит / с.
Разработчики ожидают, что новый стандарт памяти будет иметь напряжение от 1,1 до 1,2 вольт, но модули с меньшим энергопотреблением могут упасть до 1,05 вольт. Производители DRAM должны будут использовать передовые технологии производства: первые микросхемы, вероятно, будут производиться с использованием технологии производства 32 или 36 нанометров. JEDEC ожидает, что спецификации DDR2011 будут завершены к концу 4 года, а первые копии будут выпущены к 2012 году. С другой стороны, массовое производство может начаться только в 2015 году.
Переход на DDR3 происходит давно, и потребуется еще несколько лет. Для DDR4 это может занять еще больше времени, поскольку переключение намного сложнее для всех: производителей модулей памяти, производителей материнских плат, производителей процессоров, сборщиков систем и, конечно же, конечных пользователей.
