Рекордер на микросхеме памяти GDDR5 от Hynex

Массовое производство представленных ниже микросхем памяти начнется в первой половине следующего года.

1 Гбайт (128 Мбайт) памяти GDDR5 DRAM от Hynix украл самый быстрый титул у аналогичного продукта Samsung - 6, в то время как Hynix может похвастаться 7 Гбит / с. 54-нанометровый чип достигает таких темпов при рабочем напряжении 1,35 В.

Микросхема памяти, названная H5GQ1H24AFR, также вызвала интерес у NVIDIA и AMD, что делает почти уверенным, что в будущем она будет использоваться в большинстве высокопроизводительных графических контроллеров вышеупомянутых компаний.