Память GDDR3,2 с тактовой частотой 4 ГГц от Samsung

Samsung Electronics, крупнейший в мире производитель памяти, уже производит образцы самой быстрой памяти GDDR4 SDRAM для своих партнеров для различных целей разработки и тестирования.

Их чипы памяти могут работать на частоте до 3,2 ГГц, что почти в два раза превышает скорость современных видеокарт. Чипы GDDR4 южнокорейского производителя имеют время доступа 0,6 нс, производятся с шириной страйпа 80 нм и могут хранить на одном чипе 512 мегабит данных. Еще осенью 2005 года производитель представил 256-мегабайтные GDDR4, которые «всего» работали на частоте 2,5 ГГц. Напряжение и нагревательные свойства пока не объявлены. В пользу перехода на GDDR4 говорит тот факт, что она является прямым потомком GDDR3, что означает, что производители могут внедрить ее в свои продукты без особых изменений и затрат денег. Ожидается, что память GDDR4, используемая для соединений «точка-точка» на коротких расстояниях, можно будет найти на самых мощных видеокартах ближайшего будущего. Согласно планам, серийное производство памяти может начаться во втором квартале 2006 года.

Исследователи рынка говорят, что в этом году продажи микросхем графической памяти могут достичь 2,7 миллиарда долларов, что на 10% больше, чем в прошлом году.

Конкурент Hynix объявил о своих модулях памяти GDDR4 еще в декабре и планирует начать массовое производство в первом квартале 2006 года, раньше, чем Samsung Electronics.

Память Samsung Electronics GDDR4

Hynix GDDR4